A Navitas Semiconductor gallium-nitrid (GaN) és szilícium-karbid (SiC) alapú teljesítményelektronikai megoldások széles portfólióját mutatja be az AI-adatközpontok, az energetikai infrastruktúra és az ipari elektrifikáció számára a nürnbergi PCIM Expo & Conference 2026 rendezvényen.
A bemutatott fejlesztések között szerepelnek a következő generációs, 800 VDC architektúrára épülő AI-adatközpontokhoz tervezett új energiaátalakító platformok. Ezek közé tartozik egy 20 kW-os, 800 V-ról 6 V-ra működő tápellátási panel, amely 97,5%-os csúcshatásfokot ér el, miközben kiküszöböli a hagyományos 48 V-os köztes buszkonverter alkalmazását. Emellett a vállalat bemutat egy 10 kW-os, 800 V-ról 50 V-ra működő DC-DC platformot is, amely 98,5%-os csúcshatásfokot és 2,1 kW/in³ teljesítménysűrűséget kínál a legújabb GaNFast™ eszközök alkalmazásával.
A vállalat szerint ezek a megoldások támogatják az iparág átállását a magasabb feszültségű AI-szerver tápelosztási architektúrákra, amelyek jobb energiahatékonyságot, megbízhatóságot és nagyobb teljesítménysűrűséget biztosítanak az egyre nagyobb számítási igényű AI-feladatok számára.
A Navitas emellett bemutatja legújabb GaNFast™ teljesítménytranzisztorait is, amelyek 100 V-on 0,8 mΩ-tól egészen 650 V-on 11 mΩ-ig terjednek, továbbá a kibővített GaNSafe™, GaNSlim™ és kétirányú GaN IC termékcsaládokat. A szilícium-karbid technológiák területén a vállalat 3300 V-os, 2300 V-os és 1200 V-os Trench Assisted Planar (TAP) SiC eszközöket demonstrál SiCPAK™ présillesztéses modulokba integrálva, valamint ötödik generációs GeneSiC™ TAP MOSFET megoldásokat AI-adatközponti alkalmazásokhoz.
Az energia- és hálózati infrastruktúra szegmensben a Navitas nagyfeszültségű SiC technológiákra épülő szilárdtest-transzformátor (SST) architektúrákat is bemutat. A demonstrációk között szerepel egy egyfokozatú SST-cella, amelyet az École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) közreműködésével fejlesztettek ki 3300 V-os és 1200 V-os SiC eszközök felhasználásával, valamint egy 50 kVA-es kétirányú aktív front-end SST megoldás, amely 3300 V-os SiCPAK MOSFET modulokat és a Texas Instruments vezérlési technológiáit alkalmazza.
A vállalat kiemeli továbbá a GaNSense™ Motor Drive IC-kre épülő ipari elektrifikációs és motorvezérlő invertertechnológiáit is, amelyek integrált érzékelési és védelmi funkcióikkal javítják a hatásfokot, a robusztusságot és a rendszerintegrációt.
A Navitas vezetői a PCIM Europe 2026 több panelbeszélgetésén is részt vesznek, ahol olyan témákról lesz szó, mint az autóipari és humanoid robotikai GaN-technológiák, az adatközponti energiaelosztás fejlődése, valamint a szilícium-karbid és gallium-nitrid alapú teljesítményelektronika jövőbeli trendjei.
A Navitas a NürnbergMesse 9-es csarnokának 544-es standján állít ki június 9–11. között. A vállalat PCIM 2026-os bemutatóiról további információ a Navitas Semiconductor hivatalos PCIM 2026 oldalán érhető el.